MEMS麦克风的制备方法及MEMS器件的牺牲层的释放方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011528010.4
IPC分类号：H04R19/00;H04R19/04;H04R31/00
申请日期：
2020-12-22
申请人：
杭州士兰集昕微电子有限公司

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专利名称	MEMS麦克风的制备方法及MEMS器件的牺牲层的释放方法
申请号	CN202011528010.4	申请日期	2020-12-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-02	公开/公告号	CN112601168A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H04R19/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H04 电通信技术 H04R 扬声器、传声器、唱机拾音器或其他声—机电传感器；助听器；扩音系统（产生的声音和频率与电流频率无关的入G10K）〔6〕 H04R19/00 静电传感器	IPC分类号	H;0;4;R;1;9;/;0;0;;;H;0;4;R;1;9;/;0;4;;;H;0;4;R;3;1;/;0;0查看分类表>
申请人	杭州士兰集昕微电子有限公司	申请人地址	浙江省杭州市钱塘新区10号大街（东）308号13幢变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州士兰集昕微电子有限公司	当前权利人	杭州士兰集昕微电子有限公司
发明人	金文超;闻永祥;孙福河;杨浩;陈鑫;尤业锐
代理机构	上海思捷知识产权代理有限公司	代理人	王宏婧

摘要

本发明提供了一种MEMS麦克风的制备方法及MEMS器件的牺牲层的释放方法，在衬底上形成氧化层及结构层，在结构层的表面以及结构层内的释放孔的内壁上形成金属氧化物层，然后利用气相腐蚀工艺经由释放孔释放氧化层。在释放氧化层时，金属氧化物层能够提高结构层在气相腐蚀工艺中的耐熏蒸腐蚀能力，但对氧化层在气相腐蚀工艺中的耐熏蒸腐蚀能力的影响不大，相当于提高了结构层和氧化层在气相腐蚀工艺中的刻蚀选择比，从而在保证氧化层完全释放的情况下，避免结构层的表面被损伤，进而提高了MEMS器件的性能和可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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