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一种基于LTSPICE软件的MOSFETSPICE模型的建立方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811015010.7
  • IPC分类号:G06F17/50
  • 申请日期:
    2018-08-31
  • 申请人:
    哈尔滨工业大学
著录项信息
专利名称一种基于LTSPICE软件的MOSFETSPICE模型的建立方法
申请号CN201811015010.7申请日期2018-08-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-01-11公开/公告号CN109190245A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F17/50IPC分类号G;0;6;F;1;7;/;5;0查看分类表>
申请人哈尔滨工业大学申请人地址
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人哈尔滨工业大学当前权利人哈尔滨工业大学
发明人叶雪荣;张开新;王跃;李浩翔;翟国富
代理机构哈尔滨龙科专利代理有限公司代理人高媛
摘要
本发明公开了一种基于LTSPICE软件的SiCMOSFETSPICE模型的建立方法,所述方法包括如下步骤:步骤一、SiCMOS建模;步骤二、体二极管建模;步骤三、PCB寄生参数建模;步骤四:通过Saber快速建模和实际测量计算寄生参数,提取建立SiCMOSFET的模型的各项参数,基于提取的参数在LTspice软件中建立SiCMOSFETSPICE模型,通过双脉冲仿真测试与厂家提供模型进行对比,验证建立模型的正确性。本发明结合Saber软件的ModelArchitect参数提取工具、MOSFET分部分建模及LTSPICE仿真分析等方法,建立了一种精度高、通用性强的SPICE模型。

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