介电损耗扫描探针显微镜及其测量方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410077616.5
IPC分类号：G01N13/12;G01N13/10
申请日期：
2004-12-28
申请人：
中山大学

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著录项信息

专利名称	介电损耗扫描探针显微镜及其测量方法
申请号	CN200410077616.5	申请日期	2004-12-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-06-29	公开/公告号	CN1632516
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N13/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N13/12 （转入G01Q 60/02，G01Q 60/10）	IPC分类号	G;0;1;N;1;3;/;1;2;;;G;0;1;N;1;3;/;1;0查看分类表>
申请人	中山大学	申请人地址	广东省广州市新港西路135号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中山大学	当前权利人	中山大学
发明人	丁喜冬;熊小敏;张进修
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种介电损耗扫描探针显微镜及其测量方法。该显微镜包括有PZT扫描管，导电金属探针及下表面具有导电层的非导电样品、扫描隧道显微镜控制器、频率信号发生和相位检测器、前置放大器和微型计算机。采用具有较小或不要直流分量的交流偏压方法，在探针和被测样品间电容或介电损耗角随频率变化的曲线峰值附近或斜率变化最大处，选择若干个工作频率，用电容(以电压表征)和交变电流落后于交变电压的滞后相角作为二维图像的反馈量和显示量。在探针的一次二维扫描中可同时获得被测物的表观电容二维图和表观介电损耗二维图，由该两图的减法运算可得到试样的真正的介电损耗二维图。在介电损耗二维图中显示出了在用其它方法所未能显示出的介电结构、特别是界面的细节。

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