一种异质结终端的碳化硅功率器件及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201610541460.4
IPC分类号：H01L21/04;H01L29/872;H01L21/329
申请日期：
2016-07-11
申请人：
厦门市三安集成电路有限公司

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著录项信息

专利名称	一种异质结终端的碳化硅功率器件及其制备方法
申请号	CN201610541460.4	申请日期	2016-07-11
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-11-30	公开/公告号	CN106169417A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;4;;;H;0;1;L;2;9;/;8;7;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人	厦门市三安集成电路有限公司	申请人地址	福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门市三安集成电路有限公司	当前权利人	厦门市三安集成电路有限公司
发明人	刘成;叶念慈;黄侯魁
代理机构	厦门市首创君合专利事务所有限公司	代理人	张松亭

摘要

本发明公开了一种异质结终端的碳化硅功率器件，包括阴极电极、衬底层、N型SiC外延层及阳极电极，还包括间隔分立的若干P型结构，该些P型结构由生长温度低于SiC的P型半导体材料通过异质外延生长形成于所述N型SiC外延层之上并至少分布于阳极电极外围以构成异质结终端，有效避免了对N型SiC外延层掺杂特性的影响，可以获得高击穿电压及低器件开启电压的碳化硅器件。本发明还公开了其制作方法，大大减少了对高温复杂工艺的要求，制程简单，减少了制作成本。

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