一种高质量CuI晶体的生长方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310698405.2
IPC分类号：C30B7/08;C30B29/12
申请日期：
2013-12-18
申请人：
中国科学院福建物质结构研究所

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著录项信息

专利名称	一种高质量CuI晶体的生长方法
申请号	CN201310698405.2	申请日期	2013-12-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-04-02	公开/公告号	CN103695993A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B7/08 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B7/00 常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长（用熔融溶剂的入C30B 9/00）；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B 11/00；在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B7/08 溶液冷却法〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;7;/;0;8;;;C;3;0;B;2;9;/;1;2查看分类表>
申请人	中国科学院福建物质结构研究所	申请人地址	福建省福州市杨桥西路155号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院福建物质结构研究所	当前权利人	中国科学院福建物质结构研究所
发明人	庄欣欣;吕洋洋;叶李旺;许智煌;苏根博
代理机构	北京知元同创知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘元霞

摘要

本发明提供了一种CuI晶体的生长方法，属于光电功能材料技术中的晶体生长领域。该方法使用NH4Cl、NH4Br、NH4I等为助溶剂，铜片作为还原剂，生长温区70‑40℃，采用水溶液温差法生长晶体。本发明采用的温差法生长技术具有生长设备简单、成本低廉、生长温度低以及晶体生长不受溶解度限制等优点，所生长的CuI晶体纯度高、均匀性好、尺寸较大，因此作为新一代的超快闪烁晶体，有望在未来超高计数率电子、γ射线和X射线测量中发挥重要作用，同时还作为一种半导体材料用作太阳能电池材料、超导材料和光催化材料。

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