利用喷镀贵金属膜控制碳纳米管三维图形化生长的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510098719.4
IPC分类号：C01B31/02;C23C14/24;C23C16/26
申请日期：
2005-09-07
申请人：
清华大学

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专利名称	利用喷镀贵金属膜控制碳纳米管三维图形化生长的方法
申请号	CN200510098719.4	申请日期	2005-09-07
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-02-08	公开/公告号	CN1730387
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B31/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/02 （转入C01B 32/05，C01B 32/15-C01B 32/198）	IPC分类号	C;0;1;B;3;1;/;0;2;;;C;2;3;C;1;4;/;2;4;;;C;2;3;C;1;6;/;2;6查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市－82信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	张政军;周雅;岳阳
代理机构	北京众合诚成知识产权代理有限公司	代理人	李光松

摘要

本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种利用喷镀贵金属膜控制碳纳米管三维图形化生长的方法。以金或银等贵金属为靶材，在洁净的硅基底上覆盖适当形状和层数的掩膜，在真空镀膜机内，喷镀贵金属膜层，随后将按上述过程处理的硅片置于石英真空管式炉中，利用二茂铁和二甲苯作为反应物，通过化学气相沉积法制备碳纳米管，控制生长时间，可在硅基底上获得三维图形化生长的碳纳米管阵列，该制备方法简单，容易控制，图形化效果好。此方法在制造纳米电子器件和场发射器等方面具有广泛的应用前景。

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