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一种聚碳硅烷不熔化预处理及其裂解转化三维陶瓷方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010266375.8
  • IPC分类号:C04B35/565;C08G77/60
  • 申请日期:
    2020-04-07
  • 申请人:
    厦门大学
著录项信息
专利名称一种聚碳硅烷不熔化预处理及其裂解转化三维陶瓷方法
申请号CN202010266375.8申请日期2020-04-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-07-28公开/公告号CN111454061A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/565IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;6;5;;;C;0;8;G;7;7;/;6;0查看分类表>
申请人厦门大学申请人地址
福建省厦门市思明区思明南路422号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人厦门大学当前权利人厦门大学
发明人姚荣迁;黄雯燕;郑艺浓;廖亮;蓝思琦;罗涛;郭鹏焕;朱烨琦;李万翔
代理机构厦门南强之路专利事务所(普通合伙)代理人马应森
摘要
一种聚碳硅烷不熔化预处理及其裂解转化三维陶瓷方法,涉及陶瓷材料制备。先合成三维碳化硅聚合物先驱体,在惰性气氛保护下高温裂解制备SiC(Al,rGO)p陶瓷颗粒,与先驱体粉末球磨混匀后烘干,压片成型后再次高温烧结得到3D‑SiC(Al,rGO)陶瓷,最后对陶瓷的表面形貌修饰。所述三维陶瓷材料含有Si、C、O、Al四种元素,Al以原子状态均匀分布于SiOxCy无定形相中,β‑SiC纳米晶镶嵌于复合rGO的SiOxCy/Cfree无定形相中,存在SiO2微晶。扩展先驱体的交联度与分子量以形成三维网络结构,减少裂解时小分子气体的蒸发,提高陶瓷断裂韧性与耐高温稳定性,满足高温等恶劣环境应用领域。

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