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溅射方法和溅射设备

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202210836900.4
  • IPC分类号:C23C14/00;C23C14/35;C23C14/54
  • 申请日期:
    2022-07-15
  • 申请人:
    江苏迪盛智能科技有限公司
著录项信息
专利名称溅射方法和溅射设备
申请号CN202210836900.4申请日期2022-07-15
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2022-11-29公开/公告号CN115404437A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/00IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;0;0;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4查看分类表>
申请人江苏迪盛智能科技有限公司申请人地址
江苏省苏州市吴中区木渎镇金山南路868号锐晶大厦2号楼2层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏迪盛智能科技有限公司当前权利人江苏迪盛智能科技有限公司
发明人加藤·代夫;吴景舟;马迪
代理机构苏州领跃知识产权代理有限公司代理人石伍军
摘要
本发明公开了一种溅射方法和溅射设备。溅射方法用于在基板上形成依次叠放的多个膜层单元,包括在基板上通过多次溅射形成多个膜层单元,每次溅射形成一个膜层单元,每个膜层单元采用如下步骤形成对反应腔体抽真空后,向反应腔体内的阴极体和基板之间的反应区域充入工作气体和等离子体,在反应腔体内的阴极体和阳极体上加载电压,使溅射粒子沉积在基板上并形成膜层单元,在至少相邻两个膜层单元形成过程中,等离子体从反应区域溢出的量不同,相邻两膜层单元在基板的相同位置处的压强值不同,并使基板上薄膜各点处的压强值趋于一致。上述方法用于中和各层次的压强不均匀的情况,降低基板上薄膜各点压强波动较大的情况。

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