半导体存储装置及存储器系统

发明专利有效专利

申请号：
CN201710651020.9
IPC分类号：G11C16/08;G11C16/10;G11C16/26
申请日期：
2017-08-02
申请人：
东芝存储器株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体存储装置及存储器系统
申请号	CN201710651020.9	申请日期	2017-08-02
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-09-25	公开/公告号	CN108573728A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/08 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/08 地址电路；译码器；字线控制电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;8;;;G;1;1;C;1;6;/;1;0;;;G;1;1;C;1;6;/;2;6查看分类表>
申请人	东芝存储器株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东芝存储器株式会社	当前权利人	东芝存储器株式会社
发明人	永尾理
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	杨林勋

摘要

本发明的实施方式提供一种能够提高处理能力的半导体存储装置及存储器系统。实施方式的半导体存储装置包含多个第1存储单元(MT)、字线(WL)及控制电路(17)。控制电路(17)在第1模式的第1编程循环中，在对字线施加了第1电压(VSV)而执行第1编程后，一边使施加到字线(WL)的第2电压(VCG_SV)升压，一边重复进行第1验证，直到第1存储单元的断开单元数成为阈值以下为止，基于第1电压(VSV)与重复进行第1验证的次数来决定第3电压(VPGM_SV)，在第2模式的第1次的第2编程循环中，对字线(WL)施加第3电压(VPGM_SV)而执行第2编程。

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