加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

低导通压降的载流子存储型FS-IGBT及制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110019615.9
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331
  • 申请日期:
    2021-01-07
  • 申请人:
    无锡紫光微电子有限公司
著录项信息
专利名称低导通压降的载流子存储型FS-IGBT及制作方法
申请号CN202110019615.9申请日期2021-01-07
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-05-04公开/公告号CN112750893A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人无锡紫光微电子有限公司申请人地址
江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋四层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡紫光微电子有限公司当前权利人无锡紫光微电子有限公司
发明人史志扬;张海涛
代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)代理人曹祖良;涂三民
摘要
本发明涉及一种低导通压降的载流子存储型FS‑IGBT,在N‑型衬底上开设沟槽,在沟槽内设置屏蔽栅氧化层、屏蔽栅多晶硅、栅极氧化层与栅极导电多晶硅;在N‑型衬底的正面形成N+型载流子存储层,在N+型载流子存储层的正面形成P‑型体区,在P‑型体区的正面形成N+型发射极,在N+型发射极的正面设置绝缘介质层,在绝缘介质层的正面设置发射极金属;在N‑型衬底的背面设置N+型缓冲层,在N+型缓冲层的背面设置P+型集电极。本发明降低了导通压降,同时降低了反馈电容,改善了器件工作时的导通损耗,最终在一定程度上降低了开关损耗。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供