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用于等离子体增强化学气相沉积应用的加热气体盒

发明专利无效专利

申请号：
CN200580026251.6
IPC分类号：C23C16/455;C23C16/50
申请日期：
2005-08-03
申请人：
应用材料公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于等离子体增强化学气相沉积应用的加热气体盒
申请号	CN200580026251.6	申请日期	2005-08-03
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-07-04	公开/公告号	CN1993495
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/455 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/455 向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0查看分类表>
申请人	应用材料公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	应用材料公司	当前权利人	应用材料公司
发明人	索沃·森;伊娜·斯姆伦;托马斯·诺瓦克;南希·凡格;布雷恩·霍珀;安德则耶·卡祖巴;埃勒·加可
代理机构	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司	代理人	赵飞

摘要

本发明提供了一种用于在处理区域中的衬底上进行化学气相沉积的处理室的方法和装置，所述处理室包括气体盒和面板，所述气体盒具有包括气体入口通道的加热盖，所述面板连接到所述加热盖并设置成将气体从被加热的气体盒导向衬底处理区域。另外，还提供了一种向化学气相沉积室供给热量的方法，包括向气体盒的盖供给热量，并用从盖传递的热量对与气体盒相连的面板进行加热。

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