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形成高k接触衬垫以改善有效贯孔间隔距离的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710660704.5
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/538;H01L27/088
  • 申请日期:
    2017-08-04
  • 申请人:
    格罗方德半导体公司
著录项信息
专利名称形成高k接触衬垫以改善有效贯孔间隔距离的方法
申请号CN201710660704.5申请日期2017-08-04
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2018-02-13公开/公告号CN107689344A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;8;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;8查看分类表>
申请人格罗方德半导体公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人格芯(美国)集成电路科技有限公司当前权利人格芯(美国)集成电路科技有限公司
发明人古拉密·波奇;安迪·C·韦;杰森·E·史蒂芬斯;D·M·佩尔马纳;J·瓦苏德万
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明涉及形成高k接触衬垫以改善有效贯孔间隔距离的方法及其产生的装置,其中,一种方法包括形成位在第一介电层中的第一与第二接触开口。至少第一接触开口与衬垫层至少部分排齐。第一传导特征是在第一接触开口中形成,并且第二传导特征是在第二接触开口中形成。移除与第一介电层的顶端表面相邻的衬垫层的一部分以界定凹口。在第一介电层上面及凹口中形成阻障层。该阻障层具有比该第一介电层的第二介电常数更大的第一介电常数。在该阻障层上面形成第二介电层。形成嵌埋于该第二介电层中并且接触该第二传导特征的第三传导特征。

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