非晶硅/染料敏化叠层薄膜太阳电池及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910026002.7
IPC分类号：H01L31/042;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/42;H01L31/0216;H01M2/22;H01L51/44;H01L31/20;H01L51/48
申请日期：
2009-03-16
申请人：
江苏双登集团有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	非晶硅/染料敏化叠层薄膜太阳电池及其制备方法
申请号	CN200910026002.7	申请日期	2009-03-16
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-08-19	公开/公告号	CN101510568
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/042 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/04 用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）的〔2，2014.01〕 H01L31/042 单个光伏电池的光伏模块或者阵列（用于光伏模块的支撑结构入H02S20/00）〔5，2014.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;4;2;;;H;0;1;G;9;/;2;0;;;H;0;1;M;1;4;/;0;0;;;H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;M;2;/;2;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;4;;;H;0;1;L;3;1;/;2;0;;;H;0;1;L;5;1;/;4;8查看分类表>
申请人	江苏双登集团有限公司	申请人地址	江苏省姜堰市梁徐镇双登科工园1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏双登集团有限公司	当前权利人	江苏双登集团有限公司
发明人	郝三存;佘沛亮;杨善基
代理机构	南京天华专利代理有限责任公司	代理人	徐冬涛

摘要

本发明公开了一种非晶硅/染料敏化叠层薄膜太阳电池及其制备方法，该太阳电池由非晶硅顶电池和染料敏化底电池构成，且在顶电池和底电池之间还有透明导电中间层。太阳光通过顶电池透明导电层进入电池内部，首先在非晶硅层内部分吸收，后穿过中间层为底电池染料敏化太阳电池吸收。通过变化底电池染料敏化太阳电池染料敏化剂的种类，可获得宽吸收光谱的叠层太阳电池。通过调整顶电池吸收层的厚度，获得与底电池电流的匹配。本发明得到的叠层太阳电池相比于单独非晶硅或者染料敏化太阳电池，光电转换效率增加10～30％，效率衰减降低30～40％，总的制造成本的增加在5～10％以内，具有非常好的经济效应和应用前景。

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