一种用于微波频段的穿硅同轴线的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010522672.0
IPC分类号：H01P11/00;H01L21/768;H01P3/06
申请日期：
2010-10-27
申请人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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著录项信息

专利名称	一种用于微波频段的穿硅同轴线的制造方法
申请号	CN201010522672.0	申请日期	2010-10-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-15	公开/公告号	CN102097672A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01P11/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01P 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B） H01P11/00 专用于制造波导或谐振器、传输线或其他波导型器件的设备或方法	IPC分类号	H;0;1;P;1;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;P;3;/;0;6查看分类表>
申请人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	申请人地址	上海市长宁区长宁路865号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	当前权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
发明人	汤佳杰;罗乐;徐高卫;袁媛
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	潘振甦

摘要

本发明涉及一种用于微波频段穿硅同轴线的制作方法，其特征在于在硅片(1)的A面氧化层上光刻出同轴线图形，使用深反应离子体刻蚀工艺刻蚀出同轴线通孔，同轴线通孔的深度小于硅片的厚度；在硅片(2)的A面上溅射种子层，再覆盖一层光敏BCB，经过光刻得到同轴线的电镀图形，然后使用BCB键合工艺将硅片(1)和(2)的A面对准并低温键合；使用化学机械抛光工艺将硅片(1)的B面研磨至露出通孔，电镀同轴线；最后将硅片(2)从B面磨掉，去除种子层金属。本发明采用光刻等与微电子工艺相兼容的圆片级工艺，保证了传输线的精度，能实现大批量制造。该穿硅同轴传输线降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免了穿硅传输线损耗过大。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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