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空腔形成方法以及半导体器件结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510917443.1
  • IPC分类号:H01L21/02
  • 申请日期:
    2015-12-10
  • 申请人:
    杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司
著录项信息
专利名称空腔形成方法以及半导体器件结构
申请号CN201510917443.1申请日期2015-12-10
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-03-23公开/公告号CN105428218A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/02IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司申请人地址
浙江省杭州市黄姑山路4号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人杭州士兰微电子股份有限公司,杭州士兰集成电路有限公司当前权利人杭州士兰微电子股份有限公司,杭州士兰集成电路有限公司
发明人季锋;闻永祥;刘琛;孙伟
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人余毅勤
摘要
本发明提供了一种空腔形成方法以及半导体器件结构,所述空腔形成方法在N型掺杂的硅衬底正面预定区域形成N型掺杂区域,并将硅衬底正面的N型掺杂区域转换为多孔硅层,再在硅衬底的正面外延生长单晶硅层,并在单晶硅层中形成暴露所述多孔硅层的通孔,随后去除所述多孔硅层以形成空腔。本发明使用单一硅片即可形成空腔结构,并且通过控制N型掺杂区域的结深就能控制空腔的大小,工艺简单,成本较低。此外,该方法能够与CMOS工艺兼容,可用于制造IC与MEMS兼容的集成器件。

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