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一种分离栅增强的功率MOS器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910191166.9
  • IPC分类号:H01L29/423;H01L29/78
  • 申请日期:
    2019-03-12
  • 申请人:
    电子科技大学
著录项信息
专利名称一种分离栅增强的功率MOS器件
申请号CN201910191166.9申请日期2019-03-12
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-06-14公开/公告号CN109888003A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/423IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人电子科技大学申请人地址
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人电子科技大学当前权利人电子科技大学
发明人乔明;王正康;方冬;王睿迪;张波
代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)代理人敖欢;葛启函
摘要
本发明提供一种分离栅增强的功率MOS器件,包括衬底,衬底上表面有外延层,外延层中有控制栅槽,控制栅槽中包含栅电极、分离栅电极,栅电极包括第一栅电极和第二栅电极,第一栅电极和第二栅电极位于控制栅槽的上半部分,且第一栅电极和第二栅电极通过第一介质层隔开;第一栅电极和第二栅电极位于分离栅电极的上方,且和分离栅电极通过第二介质层隔开;第一栅电极和第二栅电极通过栅介质与外延层中的体区隔开;分离栅电极位于控制栅槽的下半部分,且通过第三介质层与外延层隔开;第三介质层位于控制栅槽的下半部分,覆盖槽的侧墙和底部;本发明分开的第一栅电极和第二栅电极有效减小栅极与分离栅电极的电容耦合,进而降低器件栅电荷。

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