半导体器件及半导体器件的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010552511.6
IPC分类号：H01L29/00;H01L29/812;H01L21/338
申请日期：
2010-11-17
申请人：
富士通株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体器件及半导体器件的制造方法
申请号	CN201010552511.6	申请日期	2010-11-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-05-25	公开/公告号	CN102074571A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;0;;;H;0;1;L;2;9;/;8;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;8查看分类表>
申请人	富士通株式会社	申请人地址	日本国神奈川县川崎市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	富士通株式会社	当前权利人	富士通株式会社
发明人	冈本直哉
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	姜燕;陈晨

摘要

一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：复合半导体层，设置在衬底上方；多个源电极和多个漏电极，设置在所述复合半导体层上方；多个第一通路，每个所述第一通路被配置为穿通所述复合半导体层并耦合至所述多个源电极中相应的一个源电极；多个第二通路，每个所述第二通路被配置为穿通所述复合半导体层并耦合至所述多个漏电极中相应的一个漏电极；共源配线，被配置为耦合至所述多个第一通路并埋置在所述衬底中；以及共漏配线，被配置为耦合至所述多个第二通路并埋置在所述衬底中。本发明能够简化半导体器件的制造工艺、降低成本及改善半导体器件的电气特性。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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