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形成半导体结构的方法和半导体器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201410069205.5
IPC分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
申请日期：
2014-02-27
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	形成半导体结构的方法和半导体器件
申请号	CN201410069205.5	申请日期	2014-02-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-09-17	公开/公告号	CN104051270A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	金成玟;姜智秀;李东奎;车东镐
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	张波

摘要

本发明提供一种形成半导体结构的方法和半导体器件，该方法可以包括在其上具有硬掩模层的在第一方向上延伸的硅鳍上形成光刻掩模。利用光刻掩模，在硅鳍中穿过硬掩模层可以形成沟槽，沟槽在第二方向上延伸以将硅鳍分离成在第一方向上端部对端部地延伸的第一和第二鳍结构。相对于沟槽的由第一和第二鳍结构限定的下部，可以将沟槽的由硬掩模层形成的部分加宽。

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