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一种石墨烯掺杂的二氧化钌基多孔电极及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710536480.7
  • IPC分类号:H01M4/02;H01M4/04;H01M4/48;H01M4/583
  • 申请日期:
    2017-07-04
  • 申请人:
    福州大学
著录项信息
专利名称一种石墨烯掺杂的二氧化钌基多孔电极及其制备方法
申请号CN201710536480.7申请日期2017-07-04
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-10-20公开/公告号CN107275568A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M4/02IPC分类号H;0;1;M;4;/;0;2;;;H;0;1;M;4;/;0;4;;;H;0;1;M;4;/;4;8;;;H;0;1;M;4;/;5;8;3查看分类表>
申请人福州大学申请人地址
福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人福州大学当前权利人福州大学
发明人邵艳群;何建;张帅;黄善锋;王艳鸿
代理机构福州元创专利商标代理有限公司代理人蔡学俊;林捷
摘要
本发明属于一种电极材料技术领域,具体涉及一种石墨烯掺杂的RuO2基多孔电极及其制备方法。本发明将三氯化钌与石墨烯进行负载,然后再将其与非贵金属氧化物复合,制得一种复合型电极材料。本发明通过结合石墨烯的高导电性和高的比表面、贵金属氧化物RuO2的高导电性和活性以及非贵金属氧化物材料独特的外层电子结构,制备一种新型高比电容的多孔金属氧化物/石墨烯复合电极。

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