一种磷酸二氢钾单晶快速生长方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910111247.X
IPC分类号：C30B29/14;C30B7/08;G02F1/355
申请日期：
2009-03-13
申请人：
中国科学院福建物质结构研究所

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专利名称	一种磷酸二氢钾单晶快速生长方法
申请号	CN200910111247.X	申请日期	2009-03-13
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2010-09-15	公开/公告号	CN101831700A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/14 磷酸盐〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;1;4;;;C;3;0;B;7;/;0;8;;;G;0;2;F;1;/;3;5;5查看分类表>
申请人	中国科学院福建物质结构研究所	申请人地址	福建省福州市杨桥西路155号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院福建物质结构研究所	当前权利人	中国科学院福建物质结构研究所
发明人	李国辉;汪剑成;郑国宗;庄欣欣;贺友平;林秀钦
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种磷酸二氢钾单晶快速生长方法。本发明采用溶液降温法快速生长大口径KDP晶体，但改变了以往只在Z方向生长的做法，采用添加剂以促进KDP晶体沿X，Y，Z三个方向同时快速生长。采用小籽晶进行大口径晶体生长，可以一步到位，快速地生长出所需要的籽晶尺寸或可用晶体，操作方便，生长出的方形晶体利用率高，同时由于籽品尺寸甚小，成锥恢复时间短，因此籽晶本身的缺陷延伸少，节省了溶液中的固体原料。

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