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硅晶片抛光组合物及相关方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410141265.3
IPC分类号：C09G1/18;H01L21/02
申请日期：
2014-04-10
申请人：
罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	硅晶片抛光组合物及相关方法
申请号	CN201410141265.3	申请日期	2014-04-10
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-10-15	公开/公告号	CN104099027A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09G1/18 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09G 虫胶清漆除外的抛光组合物；滑雪屐蜡 C09G1/00 抛光组合物（虫胶清漆入C09F 11/00；洗涤剂入C11D） C09G1/06 其他抛光组合物 C09G1/14 基于非蜡物质的 C09G1/18 基于其他物质的	IPC分类号	C;0;9;G;1;/;1;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司	申请人地址	美国特拉华州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司	当前权利人	罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
发明人	N·K·奔达;L·M·库克
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	陆蔚

摘要

提供一种用于抛光硅晶片的化学机械抛光组合物，其含有水；如通式（I）所示的阳离子；如通式（II）所示的哌嗪或哌嗪衍生物；任选的pH调节剂；其中所述抛光组合物具有至少300纳米/分钟的硅去除速率。还提供制备和使用化学机械抛光组合物的方法。

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