一种半导体激光器

发明专利有效专利

申请号：
CN202010604971.2
IPC分类号：H01S5/042
申请日期：
2020-06-29
申请人：
武汉云岭光电有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种半导体激光器
申请号	CN202010604971.2	申请日期	2020-06-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-24	公开/公告号	CN113300213A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/042 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/04 激励的方法或装置，例如泵激励（H01S 5/06优先）〔7〕 H01S5/042 电激励〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;4;2查看分类表>
申请人	武汉云岭光电有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区华中科技大学产业园正源光子产业园内2幢1层1-5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉云岭光电有限公司	当前权利人	武汉云岭光电有限公司
发明人	李鸿建
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明涉及激光器技术领域，提供了一种半导体激光器，一种半导体激光器，包括衬底、在所述衬底上依次生长的生长结构以及于所述生长结构上形成的导电通道，所述导电通道为长条状的条体，所述条体至少一部分本体为于所述条体的两个侧边外扩形成的加宽部，两个所述侧边为所述条体的长度方向的侧边。本发明的一种半导体激光器，通过增大条体的局部体积，可以降低电流注入密度，进而减轻发热效应，抑制空间烧孔效应，以提高器件的稳定性和延长器件的寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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