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一种磁控溅射靶靶材消耗的监控管理装置

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201120264206.7
IPC分类号：C23C14/35;C23C14/54
申请日期：
2011-07-25
申请人：
深圳天泽镀膜有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种磁控溅射靶靶材消耗的监控管理装置
申请号	CN201120264206.7	申请日期	2011-07-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4查看分类表>
申请人	深圳天泽镀膜有限公司	申请人地址	广东省深圳市龙岗区横岗镇大康福田村东海科技工业区15号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳天泽镀膜有限公司	当前权利人	深圳天泽镀膜有限公司
发明人	夏尚德;谢青华;徐龙海
代理机构	广东广和律师事务所	代理人	刘敏

摘要

本实用新型提供了一种磁控溅射靶靶材消耗的监控管理装置，包括：依次连接的直流电源单元、中央控制单元、模数转换单元及终端，所述终端同时与中央控制单元连接，模数转换单元同时与靶电源连接。本实用新型可实时记录溅射靶靶材的主要工艺参数，并根据该主要工艺参数来计算靶材的消耗量、厚度等，最终通过动态曲线显示，有助于实现成本控制、品质控制等。

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