磁控溅射镀膜阴极机构

发明专利有效专利

申请号：
CN201310210428.4
IPC分类号：C23C14/35
申请日期：
2013-05-30
申请人：
江西沃格光电科技有限公司

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专利名称	磁控溅射镀膜阴极机构
申请号	CN201310210428.4	申请日期	2013-05-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-09-11	公开/公告号	CN103290378A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/35 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕 C23C14/35 利用磁场的，例如磁控溅射〔5〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;5查看分类表>
申请人	江西沃格光电科技有限公司	申请人地址	江西省新余市高新技术产业开发区西城大道沃格工业园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江西沃格光电股份有限公司	当前权利人	江西沃格光电股份有限公司
发明人	郑芳平;张迅;易伟华
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	吴平

摘要

一种磁控溅射镀膜阴极机构，包括依次层叠的靶材、背板以及磁性材料层，所述靶材在工作时形成有跑道区，所述靶材与所述背板之间设有导磁材料层，所述导磁材料层的形状与所述跑道区的形状相匹配。上述磁控溅射镀膜阴极机构，在靶材和背板之间加入与靶材跑道区形状相匹配的导磁材料层，通过改变靶材表面的磁场设计，将磁力线变得更加散开，增强靶材表面磁场的均匀性，从而增加了靶材表面蚀刻的宽度，即扩大了溅射跑道的宽度，使得靶材利用率由原来的30%-35%提高到40%-45%左右，节约了生产成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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