加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体元件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110215382.6
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/522
  • 申请日期:
    2011-07-29
  • 申请人:
    华邦电子股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体元件及其制造方法
申请号CN201110215382.6申请日期2011-07-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-01-30公开/公告号CN102903668A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人华邦电子股份有限公司申请人地址
中国台湾台中市大雅区科雅一路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华邦电子股份有限公司当前权利人华邦电子股份有限公司
发明人龙镜丞
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人汤保平
摘要
一种半导体元件及其制造方法。半导体元件的制造方法包括下列步骤。于衬底中形成多个沟道,其中各沟道具有第一侧壁及与第一侧壁相对的第二侧壁。于沟道中分别形成多个导体结构,各导体结构具有掺杂区,各掺杂区形成于各沟道的第一侧壁中。于衬底上顺应性地形成衬层以覆盖导体结构。进行掺质植入步骤,以使衬层形成改质部分及未改质部分。移除衬层的一部分以暴露出靠近沟道的第二侧壁处的部分导体结构。以剩余的衬层作为掩膜移除部分导体结构以形成多个开口。于开口中填入多个隔离结构。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供