光辅助/脉冲调制用大电流密度电子源及其应用方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110191195.9
IPC分类号：H01J1/308;H01J9/02
申请日期：
2011-07-08
申请人：
东南大学

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专利名称	光辅助/脉冲调制用大电流密度电子源及其应用方法
申请号	CN201110191195.9	申请日期	2011-07-08
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-12-14	公开/公告号	CN102280330A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J1/308 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J1/00 电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件（电子光学装置的零部件或离子阱的零部件入H01J 3/00） H01J1/02 主电极 H01J1/30 冷阴极 H01J1/308 半导体阴极，例如有PN结层的阴极〔7〕	IPC分类号	H;0;1;J;1;/;3;0;8;;;H;0;1;J;9;/;0;2查看分类表>
申请人	东南大学	申请人地址	江苏省南京市玄武区四牌楼2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东南大学	当前权利人	东南大学
发明人	王琦龙;雷威;张晓兵
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司	代理人	许方

摘要

本发明公开了一种光辅助/脉冲调制用大电流密度的电子源，应用于大功率超高频真空电子器件领域。电子源包括衬底（1）、N个大小相同的同心环电极（3）、电极引线（2）、衬底外缘电极（4）；其中，所述N个同心环电极（3）均匀分布在衬底（1）上，所述同心环电极具有亚波长周期电极结构，通过电极引线与衬底外缘电极（4）连接，在同心环电极（3）表面制备有冷阴极电子发射材料。本发明还公开了该电子源的电子发射方法，在直流电场作用下，利用连续输出或飞秒脉冲激光束辐射其上或下表面，实现发射电流的光辅助/脉冲调制。本发明将电子源设计为亚波长周期结构，提高了光-场发射中的光子吸收效率，增强光脉冲对电子发射的调制效果。

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