加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03149354.8
  • IPC分类号:H01L23/525
  • 申请日期:
    2003-06-16
  • 申请人:
    三菱电机株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置
申请号CN03149354.8申请日期2003-06-16
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2004-05-05公开/公告号CN1494144
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/525IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;2;5查看分类表>
申请人三菱电机株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人瑞萨电子株式会社当前权利人瑞萨电子株式会社
发明人井户康弘;河野和史;岩本猛
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人杨凯;王忠忠
摘要
在半导体基片(2)上形成硅氧化膜(8)。在该硅氧化膜(8)上形成沟(8a)。在沟(8a)内隔着阻挡层金属(10)形成作为隔断层的铜反射层(12a)。形成硅氧化膜(14),以覆盖该铜反射层(12a)。在该硅氧化膜(14)上设置含多个熔丝(16a)的熔丝形成区(15)。在铜反射层(12a)上形成为使激光光线反射而向下方凹入的凹状反射面。铜反射层(12a)被平面地配置,大致重叠在熔丝形成区的整个区域上。抑制熔丝熔断时激光光束的影响波及熔丝形成区近旁,获得可实现小型化的半导体装置。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供