一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201620706248.4
IPC分类号：H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40
申请日期：
2016-06-28
申请人：
中国计量大学

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专利名称	一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管
申请号	CN201620706248.4	申请日期	2016-06-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/05 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备（由在一个公共衬底中或其上形成的多个组件组成的器件入H01L 27/28；使用有机材料的热电器件入H01L 35/00，H01L 37/00；使用有机材料的压电、电致伸缩或磁致伸缩元件入H01L 41/00）〔6，8〕 H01L51/05 专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;0;5;;;H;0;1;L;5;1;/;1;0;;;H;0;1;L;5;1;/;4;0查看分类表>
申请人	中国计量大学	申请人地址	浙江省杭州市江干区学源街258号浙江省杭州市中国计量大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国计量大学	当前权利人	中国计量大学
发明人	唐莹;张璇;韦一;彭应全;丁思晗;钱宏昌;杨玉环
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型提供的一种垂直沟道的柔性有机发光场效应晶体管，包括漏电极(1)、漏电极修饰层(2)、发光层(3)、场效应半导体层(4)、空穴传输层(5)、源电极(6)、绝缘层(7)、栅电极(8)、柔性衬底(9)；其中：柔性衬底、栅电极、绝缘层、源电极、空穴传输层、场效应半导体层、发光层、漏电极修饰层和漏电极依次叠加组成；构成栅电极的材料为ITO，构成漏电极的材料为银纳米线，构成漏电极修饰层的材料为LiF，构成发光层的材料为Alq3，构成场效应半导体层的材料为酞箐铜，构成空穴传输层的材料为NPB，构成源电极为网状金属金，构成绝缘层的材料为PVA，构成衬底的材料为PI或者PET。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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