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基于非极性GaN体材料的肖特基二极管的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710611423.0
  • IPC分类号:H01L21/329;H01L29/872
  • 申请日期:
    2017-07-25
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称基于非极性GaN体材料的肖特基二极管的制备方法
申请号CN201710611423.0申请日期2017-07-25
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2017-12-15公开/公告号CN107481928A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/329IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;1;L;2;9;/;8;7;2查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市雁塔区太白南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人张进成;杜金娟;许晟瑞;郝跃;吕玲;李培咸;陶鸿昌;林志宇;张金风
代理机构陕西电子工业专利中心代理人王品华;朱红星
摘要
本发明公开了一种基于非极性GaN体材料的肖特基二极管的制备方法,主要解决现有肖特基二极管的漏电高的问题。其自上而下包括:衬底(1),重掺杂n型非极性GaN外延层(2)和轻掺杂n型非极性GaN层(3),且重掺杂n型非极性GaN外延层(2)上设有由金属Ti/Al/Ti/Au材料制作的欧姆接触电极(4),轻掺杂n型非极性GaN层(3)上设有由金属Ni/Au材料制作的肖特基接触电极(5),衬底(1)选用非极性GaN体材料,本发明利用非极性GaN体材料衬底中位错密度小,且位错横向生长的特点,减少了漏电通道的形成,降低了器件的泄漏电流,提高器件的性能,可用作高频、低压、大电流整流二极管或小信号检波。

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