一种植入式神经电极、及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010150865.1
IPC分类号：--
申请日期：
2020-03-06
申请人：
清华大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种植入式神经电极、及其制备方法
申请号	CN202010150865.1	申请日期	2020-03-06
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-30	公开/公告号	CN111348616A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区清华园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	王瀚晨;李霖泽;姜长青;胡春华;李路明
代理机构	北京华仁联合知识产权代理有限公司	代理人	陈建

摘要

本发明提供一种植入式神经电极、及其制备方法，所述神经电极自下而上依次包括绝缘基底层、图案导电层、封装绝缘层，其中，所述图案导电层包括导线、位于所述导线一端的焊盘以及位于所述导线另一端的连接触点，所述封装绝缘层表面设置有电极触点，所述电极触点穿过所述封装绝缘层，与所述图案导电层位于导线端部的焊盘相连通，所述电极触点的位置依据电极设计要求而定，所述连接触点不被绝缘封装层包裹，裸露在外，用于与外部电子线路连接，并且，所述电极触点表现为亲水性，所述电极触点与水滴的接触角＜90°。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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