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一种薄膜沉积装置和其沉积方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810184442.0
  • IPC分类号:C23C16/455;H01L21/00
  • 申请日期:
    2008-12-24
  • 申请人:
    K.C.科技股份有限公司
著录项信息
专利名称一种薄膜沉积装置和其沉积方法
申请号CN200810184442.0申请日期2008-12-24
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2009-07-01公开/公告号CN101469412
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/455IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人K.C.科技股份有限公司申请人地址
韩国京畿道安城市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人凯斯科技股份有限公司,KC股份有限公司当前权利人凯斯科技股份有限公司,KC股份有限公司
发明人申寅澈;田英洙
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司代理人郭鸿禧;罗延红
摘要
本发明提供了一种薄膜沉积装置和其方法,其包括反应室,可以旋转地装载在上述反应室内且安装至少一个衬底的基座,装载在上述反应室的上部而将多个气体分别地提供给上述反应室内的气体供给单元,与提供上述多个气体的各个区域的边界相对应装载在上述基座上且具备排出周围气体的排气线的分离排气单元和对上述分离排气单元提供吸入力的真空抽气单元,其可以分离和排出源气和反应气体且通过减少粒子等不纯物的产生可以提高薄膜质量。

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