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化学计量介电薄膜的高速反应溅射

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201480009573.9
  • IPC分类号:C23C14/00;C23C14/08;C23C14/54
  • 申请日期:
    2014-01-22
  • 申请人:
    皮尔森西波西米亚大学;通快许廷格有限公司
著录项信息
专利名称化学计量介电薄膜的高速反应溅射
申请号CN201480009573.9申请日期2014-01-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-01-20公开/公告号CN105264107A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/00IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;0;0;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4查看分类表>
申请人皮尔森西波西米亚大学;通快许廷格有限公司申请人地址
捷克共和国皮尔森 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人皮尔森西波西米亚大学,通快许廷格有限公司当前权利人皮尔森西波西米亚大学,通快许廷格有限公司
发明人R·布吉;J·弗尔切克;J·雷策克;J·拉扎尔
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人过晓东
摘要
本发明提供一种用于监测并控制反应溅射沉积的方法和装置。该方法和装置尤其可用于使用对金属靶进行溅射的大功率磁控管的化学计量介电化合物(例如,金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物等)在各种基底上的高速沉积,所述溅射包括使用较短的靶(阴极)电压脉冲(通常40μs至200μs)且具有高达数kWcm‑2的靶功率密度的大功率脉冲磁控溅射。对于给定的标称靶功率水平、靶材料和源气体而言,在由电源所保持的恒定靶电压下对反应性气体进入真空室的脉冲流速进行控制,以促进化学计量介电薄膜在“金属模式”与“覆盖(中毒)模式”之间的过渡区中的溅射沉积。

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