在非易失性存储器处理纠错码的方法及非易失性存储装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201410571642.7
IPC分类号：G11C29/42;G11C16/06
申请日期：
2014-10-23
申请人：
擎泰科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	在非易失性存储器处理纠错码的方法及非易失性存储装置
申请号	CN201410571642.7	申请日期	2014-10-23
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-12-30	公开/公告号	CN105206306A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C29/42 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C29/00 存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器〔1，8〕 G11C29/04 损坏存储元件的检测或定位〔8〕 G11C29/08 功能测试，例如，在刷新、通电自检〔POST〕或分布型测试期间的测试〔8〕 G11C29/12 用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置〔BIST〕〔8〕 G11C29/38 响应验证装置〔8〕 G11C29/42 用纠错码〔ECC〕或奇偶校验检查〔8〕	IPC分类号	G;1;1;C;2;9;/;4;2;;;G;1;1;C;1;6;/;0;6查看分类表>
申请人	擎泰科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	擎泰科技股份有限公司	当前权利人	擎泰科技股份有限公司
发明人	蔡宗享;张家祯
代理机构	深圳新创友知识产权代理有限公司	代理人	江耀纯

摘要

本发明公开了一种在非易失性存储器中处理纠错码(ErrorCorrectingCode，ECC)的方法及非易失性存储装置，所述方法包括对一数据码执行一第一纠错操作，以产生一第一校验码；压缩所述第一校验码，以产生一压缩校验码；对所述压缩校验码执行一第二纠错操作，以产生一额外校验码；以及将所述数据码、所述压缩校验码及所述额外校验码写入所述非易失性存储器的一存储单元。通过上述方法，可提升非易失性存储器的寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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