具有高出光效率的LED芯片

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201220369657.1
IPC分类号：H01L33/38;H01L33/42
申请日期：
2012-07-27
申请人：
鹤山市银雨照明有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有高出光效率的LED芯片
申请号	CN201220369657.1	申请日期	2012-07-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/38 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/36 以电极为特征的〔2010.01〕 H01L33/38 具有特定形状〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;3;8;;;H;0;1;L;3;3;/;4;2查看分类表>
申请人	鹤山市银雨照明有限公司	申请人地址	广东省江门市鹤山市共和镇祥和路326号H栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	鹤山市银雨照明有限公司	当前权利人	鹤山市银雨照明有限公司
发明人	樊邦扬
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本实用新型属于LED照明领域，具体涉及一种具有高出光效率的LED芯片。包括自下而上依次设置的N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层，所述透明导电层上形成有P电极，所术N型半导体层上形成有N电极，所述P电极、N电极以及透明导电层上设置有钝化保护层。由于具有周期性微结构的透明导电层，在增加电流扩散效果的同时增加了散射中心，使得在P型GaN和透明导电层界面发生全发射的几率减小，增加出光效率。同时，具有周期性微结构的钝化保护层，在保证芯片不受实用环境影响的同时，具有增透膜的效果，周期性微结构也增加了散射中心，使得在透明导电层界面和钝化保护层界面发生全发射的几率减小。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供