GaN基板以及显示芯片的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011089658.6
IPC分类号：H01L33/20;H01L33/32;H01L33/00;H01L25/16
申请日期：
2020-10-13
申请人：
深圳市奥视微科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	GaN基板以及显示芯片的制造方法
申请号	CN202011089658.6	申请日期	2020-10-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-12-25	公开/公告号	CN112133805A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/20 具有特定的形状，例如弯曲或截断的衬底〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;2;0;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;5;/;1;6查看分类表>
申请人	深圳市奥视微科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢410室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市奥视微科技有限公司	当前权利人	深圳市奥视微科技有限公司
发明人	岳大川;朱涛
代理机构	苏州谨和知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	田媛

摘要

本发明公开一种GaN基板以及显示芯片的制造方法，其中GaN基板包括衬底和位于衬底上方的GaN外延层，GaN外延层上设有由多个彼此独立的环状隔离部构成的翘曲消减结构；其中，各个环状隔离部相对于所述GaN外延层的上表面向下凹陷，每一个所述环状隔离部的内侧界定一个与待制造的显示芯片尺寸相适应的独立单元。本案通过在GaN外延层形成彼此多个彼此独立的环状隔离部构成的翘曲消减结构，从而达到有效释放薄膜应力，改善基板翘曲度的效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供