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半导体封装件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810902543.0
IPC分类号：H01L23/31;H01L23/485
申请日期：
2018-08-09
申请人：
三星电子株式会社

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体封装件及其制造方法
申请号	CN201810902543.0	申请日期	2018-08-09
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2019-02-26	公开/公告号	CN109390296A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;5查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	石敬林;李锡贤
代理机构	北京市立方律师事务所	代理人	李娜

摘要

提供一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件的再分布层的绝缘层可以形成为形成有无机填料的聚合物膜。无机填料可以捕捉反应性材料以抑制和/或基本上防止金属导体(诸如被封装的半导体芯片的芯片焊盘)被所述反应性材料损坏。因此，可以提高半导体封装件的可靠性和耐用性。

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