一种小尺寸边缘修饰石墨烯与硅复合电极材料制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810412014.2
IPC分类号：H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525
申请日期：
2018-04-24
申请人：
盐城师范学院

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著录项信息

专利名称	一种小尺寸边缘修饰石墨烯与硅复合电极材料制备方法
申请号	CN201810412014.2	申请日期	2018-04-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-08-21	公开/公告号	CN108428883A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/36 作为活性物质、活性体、活性液体的材料的选择〔2〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;3;6;;;H;0;1;M;4;/;3;8;;;H;0;1;M;4;/;6;2;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5查看分类表>
申请人	盐城师范学院	申请人地址	江苏省盐城市希望大道南路2号盐城师范学院新长校区新能源学院变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	盐城师范学院	当前权利人	盐城师范学院
发明人	苗中正;陈霁
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种小尺寸边缘修饰石墨烯与硅复合电极材料制备方法。通过小片层石墨插层化合物层间反应产生气体，剥离石墨片层得到小尺寸石墨烯材料；小尺寸石墨烯在浓硫酸和浓硝酸混酸体系中处理4h后，再用质量分数为30％过氧化氢水溶液处理2h，得到小尺寸边缘修饰石墨烯材料；将边缘修饰石墨烯材料与纳米硅颗粒超声混合均匀后，采用真空抽滤法制备独立自支撑薄膜，采用热化学法去除边缘的羧基后得到复合电极材料。本发明中的小尺寸边缘修饰石墨烯材料具有较高的电子电导与离子电导，可改善硅基材料的倍率性能，抑制硅在循环过程中的体积效应，具备良好的分散性，与硅颗粒混合均匀，阻隔硅与电解液直接接触，降低不可逆容量。

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