一种FeTeSe多晶超导体的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811147041.8
IPC分类号：H01B12/00;H01B13/00
申请日期：
2018-09-29
申请人：
中国科学院物理研究所

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著录项信息

专利名称	一种FeTeSe多晶超导体的制备方法
申请号	CN201811147041.8	申请日期	2018-09-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-04-07	公开/公告号	CN110970170A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B12/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B12/00 超导或高导导体、电缆或传输线（按陶瓷形成工艺或陶瓷组合物性质区分的超导体入C04B 35/00〔2，4〕	IPC分类号	H;0;1;B;1;2;/;0;0;;;H;0;1;B;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院物理研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村南三街8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院物理研究所	当前权利人	中国科学院物理研究所
发明人	潘伯津;任治安
代理机构	北京泛华伟业知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明提供FeTe1‑xSex多晶超导体的制备方法，包括以下步骤(1)将Fe粉、Te粉和Se粉按比例混合并充分研磨，压片后装入一端封口的石英管中，然后抽真空，并将另一端封口；(2)采用微波加热，冷却后得到FeTe1‑xSex多晶坯；(3)放入加热炉中退火，冷却后获得FeTe1‑xSex多晶超导体。本发明通过微波的快速合成特点来减少在FeTe1‑xSex超导材料制备过程中消耗的能量，节约了成本。由于微波原位加热过程中热量几乎都集中在原料上，使其在复合到其它材料或工件上时避免高温对其它材料的影响。本发明还通过微波在材料合成过程中的非热力学效应改善了晶界连接性能，提高了材料致密度，从而得到临界电流密度很高的FeTe1‑xSex超导材料，极大地促进了其实用化。

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