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一种钒电池用全氟磺酸离子交换膜制备工艺

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010158007.8
  • IPC分类号:H01M8/02;H01M2/16;C08J7/04
  • 申请日期:
    2010-04-28
  • 申请人:
    中国科学院金属研究所
著录项信息
专利名称一种钒电池用全氟磺酸离子交换膜制备工艺
申请号CN201010158007.8申请日期2010-04-28
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2011-11-09公开/公告号CN102237534A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M8/02IPC分类号H;0;1;M;8;/;0;2;;;H;0;1;M;2;/;1;6;;;C;0;8;J;7;/;0;4查看分类表>
申请人中国科学院金属研究所申请人地址
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院金属研究所当前权利人中国科学院金属研究所
发明人赵丽娜;刘建国;严川伟
代理机构沈阳科苑专利商标代理有限公司代理人张志伟
摘要
本发明涉及全钒氧化还原液流电池用离子交换膜领域,特别涉及一种用于钒电池阻钒性好的全氟磺酸离子交换膜的制备工艺。将全氟磺酸离子交换树脂溶液喷涂在聚四氟乙烯基膜上,包括将三分之一的全氟磺酸离子交换树脂溶液喷涂在聚四氟乙烯基膜两面、隔膜热定型、再将三分之一的全氟磺酸离子交换树脂溶液喷涂在已热定型的隔膜两面、隔膜热定型、最后将剩下三分之一的全氟磺酸离子交换树脂溶液喷涂在已热定型的隔膜两面、隔膜的热定型工艺过程。本发明可以解决现有隔膜应用于钒电池时阻钒性差、厚度精度低的问题,大大提高隔膜的阻钒性,在钒电池的使用中有效阻挡钒离子的透过,提高电池的效率,机械强度显著提高,隔膜厚度更容易控制,精度高。

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