加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种定位场区域的边界的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810800584.9
  • IPC分类号:H01L23/544
  • 申请日期:
    2018-07-20
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称一种定位场区域的边界的方法
申请号CN201810800584.9申请日期2018-07-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-12-11公开/公告号CN108987377A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/544IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;4;4查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人顾以理;李伟峰;沈惠平;刘夏英
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人屈蘅
摘要
本发明提供了一种定位场区域的边界的方法,所述定位场区域的边界的方法包括:提供基底,所述基底上形成有场区域;形成指示环,所述指示环于所述基底上且围绕所述场区域。在本发明提供的定位场区域的边界的方法中,通过形成围绕场区域的指示环达到快速准确定位场区域的边界的目的,由于指示环与场区域上膜层是同时形成,不需要额外的工艺或步骤,在不增加成本的情况下带来便利,在工艺过程中使得检测查找等更快速的场区域的实现定位,提高工作效率。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供