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能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201921905915.1
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/423
  • 申请日期:
    2019-11-07
  • 申请人:
    苏州凤凰芯电子科技有限公司
著录项信息
专利名称能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构
申请号CN201921905915.1申请日期2019-11-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人苏州凤凰芯电子科技有限公司申请人地址
江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科技创业园E幢2楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州凤凰芯电子科技有限公司当前权利人苏州凤凰芯电子科技有限公司
发明人吴宗宪;陈彦豪
代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)代理人曹祖良;涂三民
摘要
本实用新型涉及一种能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构,它包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型上体区、第一导电类型源极区、绝缘介质层、源极金属层、源极接触孔、源极接触金属、第二导电类型下体区、栅氧化层、栅极导电多晶硅与屏蔽栅。本实用新型通过在屏蔽栅两侧设置阶梯形氧化层和沟槽底层注入第二导电类型体区,可降低电场峰值分布,进而提高器件耐压;与传统屏蔽栅器件结构相比,本实用新型的器件具有更低的导通电阻、更低的输入和输出寄生电容值、更低的反向恢复电流峰值和恢复软度特性;本实用新型的器件可减小芯片面积,降低芯片成本。

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