一种新型耐高温SiCMOSFET半桥多层封装结构

发明专利有效专利

申请号：
CN202011638747.1
IPC分类号：H01L25/07;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/49
申请日期：
2020-12-31
申请人：
西安交通大学

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著录项信息

专利名称	一种新型耐高温SiCMOSFET半桥多层封装结构
申请号	CN202011638747.1	申请日期	2020-12-31
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-28	公开/公告号	CN112864140A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/07 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/03 所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件〔5，8〕 H01L25/04 不具有单独容器的器件〔2014.01〕 H01L25/07 包含在H01L 29/00组类型的器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市咸宁西路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	王来利;朱梦宇;杨成子;杨奉涛;李华清
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	范巍

摘要

本发明公开了一种新型耐高温SiC MOSFET半桥多层封装结构，包括封装层及引片结构，其中，封装层内设置有第一镀金金属化芯区及第二镀金金属化芯区，封装层的表面开设有自上到下分布的通孔结构，引片结构插入于通孔结构内后与封装层之间密封，第一镀金金属化芯区上设置有上桥臂半导体芯片，第二镀金金属化芯区上设置有下桥臂半导体芯片，其中，引片结构与上桥臂半导体芯片及下桥臂半导体芯片相连，该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。

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