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绝缘栅双极型晶体管

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201820585100.9
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/423;H01L29/49
  • 申请日期:
    2018-04-23
  • 申请人:
    广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
著录项信息
专利名称绝缘栅双极型晶体管
申请号CN201820585100.9申请日期2018-04-23
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;4;9查看分类表>
申请人广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司申请人地址
广东省佛山市顺德区北滘镇林港路 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广东美的制冷设备有限公司,美的集团股份有限公司当前权利人广东美的制冷设备有限公司,美的集团股份有限公司
发明人冯宇翔;甘弟
代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)代理人赵天月
摘要
本实用新型提出了绝缘栅双极型晶体管,该绝缘栅双极型晶体管包括:漂移区;P阱区,设置在漂移区的一侧;N+发射极,设置在P阱区远离漂移区的一侧;两个沟槽,每个沟槽开设在N+发射极、P阱区和漂移区内,且贯穿N+发射极和P阱区;沟槽氧化层,设置在两个沟槽中且覆盖每个沟槽的表面;两个多晶硅栅极,每个多晶硅栅极填充在沟槽氧化层远离漂移区的一侧,并且,每个多晶硅栅极包括依次层叠设置的N型子栅极和P型子栅极。本实用新型所提出的IGBT的栅极设置为PN结,如此,可减小栅极与集电极之间的寄生电容Cgc,从而缩短开通时间,进而减小开通损耗。

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