基于外界边框设计的拼版设计方法、芯片及终端

发明专利有效专利

申请号：
CN202211331143.1
IPC分类号：G06F30/392;G06F17/18
申请日期：
2022-10-28
申请人：
成都复锦功率半导体技术发展有限公司

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著录项信息

专利名称	基于外界边框设计的拼版设计方法、芯片及终端
申请号	CN202211331143.1	申请日期	2022-10-28
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2022-11-25	公开/公告号	CN115392181A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F30/392	IPC分类号	G;0;6;F;3;0;/;3;9;2;;;G;0;6;F;1;7;/;1;8查看分类表>
申请人	成都复锦功率半导体技术发展有限公司	申请人地址	四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区和乐二街171号5栋15楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	成都复锦功率半导体技术发展有限公司	当前权利人	成都复锦功率半导体技术发展有限公司
发明人	苏春;张帅;代高强;王新;张攀
代理机构	成都华风专利事务所（普通合伙）	代理人	吴桂芝

摘要

本发明公开了基于外界边框设计的拼版设计方法、芯片及终端，属于半导体集成电路制造技术领域，包括计算不同外界边框尺寸值下的有效芯片面积利用率，得到多个最优有效芯片面积利用率MaxSAR，根据多个MaxSAR确定对应的最佳外界边框尺寸取值区间，最后将芯片版图数据放入外界边框中，输出流片拼版设计版图。本发明通过有效芯片面积利用率反向选择外界边框，进而使包含外界边框的流片拼版设计版图能够最大程度对晶圆面积进行有效利用，以此最大化降低了设计成本；同时，本发明跳出了目前版图设计仅在曝光面积内以及芯片面积利用率内评估方案性能的小维度，将整体的优化视野拓展到整晶圆层级维度，快速、准确且实用性强。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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