MEMS气体传感器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201520113114.7
IPC分类号：G01N27/12
申请日期：
2015-02-16
申请人：
郑州炜盛电子科技有限公司

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著录项信息

专利名称	MEMS气体传感器
申请号	CN201520113114.7	申请日期	2015-02-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/02 通过测试阻抗 G01N27/04 通过测试电阻 G01N27/12 与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人	郑州炜盛电子科技有限公司	申请人地址	河南省郑州市高新技术开发区金梭路299号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	郑州炜盛电子科技有限公司	当前权利人	郑州炜盛电子科技有限公司
发明人	张绍达;高胜国;钟克创;古瑞琴
代理机构	深圳中一专利商标事务所	代理人	陈宇

摘要

本实用新型涉及气体检测技术领域，提供了MEMS气体传感器，包括，单晶硅衬底；上氮化硅层与上氧化硅层，由下至上叠置于所述单晶硅衬底上表面；下氮化硅层，置于所述单晶硅衬底下表面；加热电极，置于所述上氧化硅层上；绝缘层，置于所述加热电极上；测量电极，置于所述绝缘层上；气体敏感层，置于所述测量电极上，且与所述测量电极电连接；隔热腔，位于所述上氮化硅层下方，将所述下氮化硅层及所述单晶硅衬底腐刻形成。本实用新型中，气体传感器本身精度高、重量轻、尺寸小，功耗低、效能高、成本低、能够大批量生产。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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