一种多值存储器的校准电路、校准方法和编程方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202111045880.0
IPC分类号：G11C13/00
申请日期：
2021-09-07
申请人：
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司

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著录项信息

专利名称	一种多值存储器的校准电路、校准方法和编程方法
申请号	CN202111045880.0	申请日期	2021-09-07
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-12-03	公开/公告号	CN113744780A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C13/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C13/00 特征在于使用不包括在G11C 11/00，G11C 23/00或G11C 25/00各组内的存储元件的数字存储器	IPC分类号	G;1;1;C;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司	申请人地址	上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司,上海集成电路研发中心有限公司	当前权利人	上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司,上海集成电路研发中心有限公司
发明人	沈灵;严慧婕;任永旭;蒋宇;温建新
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	田婷

摘要

本发明提供的一种多值存储器的校准电路、校准方法和编程方法。校准电路包括多值存储器、参考可变电阻、灵敏放大器、编程开关、读开关、电流通路模块、逻辑控制模块和非易失性存储器，灵敏放大器包括第一输入端、第二输入端和输出端；多值存储器的一端与编程开关连接，另一端与灵敏放大器的第一输入端连接，多值存储器的一端还与读开关连接；编程开关与读开关并联；参考可变电阻的一端与编程开关连接，另一端与灵敏放大器的第二输入端连接。利用校准电路确定各阻值对应的校准结果，校准结果即过冲阻值，在写入数据的时候，可以将参考可变电阻的阻值减去对应的过冲阻值作为目标编程阻值，这样可以消除多值存储器在编程模式下存在过冲阻值的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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