一种PN结压阻式扩散硅压力传感器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201922242488.X
IPC分类号：G01L1/18;G01L9/06
申请日期：
2019-12-16
申请人：
沈阳仪表科学研究院有限公司

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专利名称	一种PN结压阻式扩散硅压力传感器
申请号	CN201922242488.X	申请日期	2019-12-16
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01L1/18 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01L 测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力（称量入G01G）〔4〕 G01L1/00 力或应力的一般计量（测量由于冲击产生的力入G01L 5/00）〔4〕 G01L1/18 利用压电电阻材料的性质，即材料的欧姆电阻随作用于材料上的力的大小或方向的改变而变化的性质	IPC分类号	G;0;1;L;1;/;1;8;;;G;0;1;L;9;/;0;6查看分类表>
申请人	沈阳仪表科学研究院有限公司	申请人地址	辽宁省沈阳市浑南新区高科路23-3号501室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	沈阳仪表科学研究院有限公司	当前权利人	沈阳仪表科学研究院有限公司
发明人	贾文博;张治国;郑东明;祝永峰;任向阳;关维冰;白雪松;尹萍
代理机构	沈阳科威专利代理有限责任公司	代理人	杨滨

摘要

本实用新型公开了一种PN结压阻式扩散硅压力传感器，属于微电子技术领域；它包括有晶圆片，技术要点是：在晶圆片上分布有凸起的阻条器件及压焊点，在阻条器件的顶部还覆盖有电极，在晶圆片及压焊点的外表面还设置有一氧气层或氮化层。采用本结构可以降低现有的工艺/设计难度，减少工艺步骤，降可靠性高，可应用于PN结压阻式扩散硅压力传感器的制备以及SOI压力传感器的制备。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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