一种等离子体耦合模式激光器

发明专利无效专利

申请号：
CN201210135204.7
IPC分类号：H01S5/20
申请日期：
2012-05-02
申请人：
中国科学院半导体研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种等离子体耦合模式激光器
申请号	CN201210135204.7	申请日期	2012-05-02
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-09-12	公开/公告号	CN102664349A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/20 用于控制光波导的半导体的结构或形状〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;2;0查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	郑婉华;付非亚;王宇飞;晏新宇;周文君;陈微
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	宋焰琴

摘要

本发明公开了一种等离子体耦合模式激光器，包括：一介质材料板层；以及覆盖于该介质材料板层周边上的金属层；其中，该等离子体耦合模式激光器是在介质材料板层周边生长金属层以实现等离子体模式振荡，该等离子体振荡模式同介质材料板层内驻波模式产生耦合，用以调节耦合模式能量分布，并在单维尺度上克服衍射极限，实现激光器件小型化。利用本发明，可实现对激光器振荡模式能量以及偏振特性的调节，并可在单维上实现亚波长尺度，另一单维尺度上克服衍射极限，实现激光器件小型化和高度集成化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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