成膜装置及成膜装置的水分去除方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110175222.7
IPC分类号：C23C14/34;C23C14/56
申请日期：
2021-02-07
申请人：
芝浦机械电子装置株式会社

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著录项信息

专利名称	成膜装置及成膜装置的水分去除方法
申请号	CN202110175222.7	申请日期	2021-02-07
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-17	公开/公告号	CN113265626A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;3;C;1;4;/;5;6查看分类表>
申请人	芝浦机械电子装置株式会社	申请人地址	日本神奈川县横浜市荣区笠间二丁目5番1号(邮递区号:247-8610) 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	芝浦机械电子装置株式会社	当前权利人	芝浦机械电子装置株式会社
发明人	田边昌平;吉村浩司
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	杨文娟;臧建明

摘要

本发明提供一种可在不会导致装置的复杂化的情况下促进腔室内的水分去除的成膜装置及成膜装置的水分去除方法。实施方式的成膜装置具有：能够使内部为真空的腔室、对腔室内进行排气的排气部、利用旋转台循环搬运工件的搬运部、以及对循环搬运后的工件进行等离子体处理的多个等离子体处理部，多个等离子体处理部分别具有进行等离子体处理的处理空间，多个等离子体处理部中的至少一个是通过溅镀对循环搬运后的工件进行成膜处理的成膜处理部，多个等离子体处理部中的至少一个是如下加热部，所述加热部是在不进行利用成膜处理部的成膜处理的状态下，随着利用排气部进行的排气及旋转台的旋转，产生等离子体，经由旋转台对腔室内进行加热，由此去除水分。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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