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通过区域熔融制备单晶的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710628338.5
IPC分类号：C30B13/30;C30B29/06
申请日期：
2017-07-28
申请人：
硅电子股份公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	通过区域熔融制备单晶的方法
申请号	CN201710628338.5	申请日期	2017-07-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-02-13	公开/公告号	CN107687021A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B13/30 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B13/00 区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼（C30B 17/00优先；改变所处理固体之横截面的入C30B 15/00；在保护流体下的入C30B 27/00；具有一定结构的均匀多晶材料的生长入C30B 28/00；特定材料的区域精炼，见该材料的相应小类）〔3，5〕 C30B13/28 控制或调节〔3〕 C30B13/30 熔融区的稳定化或形状控制，例如用浓缩器的、用电磁场的；控制晶体截面的〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;3;/;3;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	硅电子股份公司	申请人地址	德国慕尼黑变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	硅电子股份公司	当前权利人	硅电子股份公司
发明人	F·幕莫勒;H·茨维尔格尔迈尔;J·贝格尔
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	过晓东

摘要

通过区域熔融制备单晶的方法，其包括：在晶种上结晶熔融材料，形成生长单晶；旋转所述生长单晶；在感应加热线圈的存在下，通过熔融固体材料而产生并保持位于所述生长单晶上的熔融区域；使用相机记录覆盖所述熔融区域部分的图像；通过评估所记录图像的图像部分来确定测量变量；和一旦所述测量变量超过相关设定的阈值，就产生警告信号和/或中止晶体生长。

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